Транзистор предварительное смещение PNP 50V SOT-23
Артикул: C5245762
Part Number: DDTA115ECA-7-F
Производитель: DIODES
от 0.045800 ₽
В наличии: 60 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.047400 ₽ |
| 100 шт. | 0.046700 ₽ |
| 300 шт. | 0.046300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.045800 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 82 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,250uA |
| Входной резистор | 100kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23