Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C5245743
Part Number: DDC115EU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.119800 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.123600 ₽ |
| 50 шт. | 0.122000 ₽ |
| 150 шт. | 0.120900 ₽ |
| 500 шт. | 0.119800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 100kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363