TECH PUBLIC MUN5312DW1T2G(TP)
Артикул: C52205295
Part Number: MUN5312DW1T2G(TP)
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.016200 ₽
В наличии: 2780 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.034200 ₽ |
| 200 шт. | 0.026500 ₽ |
| 600 шт. | 0.022200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.017400 ₽ |
| 21000 шт. | 0.016200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | NPN+PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
50V 56 100mA 150mW 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения NPN+PNP SOT-363 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения