R+O HD503N022S
Артикул: C52204673
Part Number: HD503N022S
Производитель: R+O
от 0.178300 ₽
В наличии: 3940 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.347800 ₽ |
| 50 шт. | 0.275500 ₽ |
| 150 шт. | 0.244500 ₽ |
| 500 шт. | 0.205900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.188600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.178300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 85W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 83nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.898nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 700pF |
Описание
30V 120A 1.8V 85W 1.5mΩ@10V 1 N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS