R+O HK10N020SG
Артикул: C52204670
Part Number: HK10N020SG
Производитель: R+O
от 0.804700 ₽
В наличии: 1356 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.057100 ₽ |
| 10 шт. | 0.958800 ₽ |
| 30 шт. | 0.904700 ₽ |
| 100 шт. | 0.844000 ₽ |
| 500 шт. | 0.817800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.804700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 350A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 370W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 175nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 12.22nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 42pF |
Описание
100V 350A 3V 370W 1.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TOLL-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS