HXY MOSFET SICB0860P-HXY
Артикул: C52194986
Part Number: SICB0860P-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.955200 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.596100 ₽ |
| 10 шт. | 1.356500 ₽ |
| 30 шт. | 1.207400 ₽ |
| 100 шт. | 1.053500 ₽ |
| 500 шт. | 0.985300 ₽ |
| 800 шт. | 0.955200 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация диодов | 1 Independent |
| Максимальное постоянное обратное напряжение (Vr) | 650V |
| Выпрямленный ток | 24.1A |
| Обратный ток утечки (Ir) | 50uA@650V |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1.42V@8A |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+175℃ |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | 60A |
Описание
1 независимый 650V 1.42V@8A 24.1A TO-263 одиночные диоды