VBsemi Elec PHD9NQ20T,118-VB
Артикул: C52190899
Part Number: PHD9NQ20T,118-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.436100 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.764800 ₽ |
| 10 шт. | 0.631400 ₽ |
| 30 шт. | 0.563100 ₽ |
| 100 шт. | 0.496300 ₽ |
| 500 шт. | 0.457300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.436100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 96W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 245mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 34nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 80pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
96W 200V 10A 2V 245mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)