LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность

Артикул: C5218881 Part Number: LMG3422R050RQZR Производитель: TI
от 16.123800 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 20.472200 ₽
10 шт. 19.447100 ₽
30 шт. 17.672900 ₽
100 шт. 16.123800 ₽

Datasheet

Характеристики

Конфигурация управления Half-Bridge
Выходной ток низкого уровня (IOL) 8mA
Ток покоя (Iq) 700uA
Рабочее напряжение 7.5V~18V
Тип нагрузки MOSFET
Рабочая температура -40℃~+125℃
Выходной ток высокого уровня (IOH) 8mA
Время нарастания 2.5ns
Время спада 21ns
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection
Входной логический уровень — высокий 1.7V~2.45V
Задержка распространения tpLH 32ns
Входной логический уровень — низкий 700mV~1.3V
Задержка распространения tpHL 44ns

Описание

Полумостовой MOSFET 8mA 2.5ns 21ns VQFN-54(12x12) ключи распределения питания, драйверы нагрузок RoHS