HXY MOSFET SI7155DP-T1-GE3-HXY
Артикул: C52174718
Part Number: SI7155DP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.840800 ₽
В наличии: 241 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.417600 ₽ |
| 10 шт. | 1.193100 ₽ |
| 30 шт. | 1.070200 ₽ |
| 100 шт. | 0.930900 ₽ |
| 500 шт. | 0.868600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.840800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 195nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.733nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 697pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 770pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200W 40V 100A 2.5V 3.1mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS