Изолированный IGBT/SiC MOSFET драйвер затвора с усовершенствованный защита

Изолированный IGBT/SiC MOSFET драйвер затвора с усовершенствованный защита

Артикул: C5216327 Part Number: UCC5870QDWJQ1 Производитель: TI
от 17.522100 ₽ В наличии: 4 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 18.122600 ₽
10 шт. 17.522100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки IGBT;MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Количество каналов 1
Напряжение питания 3V~5.5V;15V~30V
Устойчивость к синфазным переходным помехам CMTI (кВ/мкс) 100kV/us
Напряжение изоляции (В, действующее значение) 3750V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 30A
Выходной ток высокого уровня (IOH) 30A
Время нарастания 14ns
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Время спада 14ns
Задержка распространения (tpd) 100ns;100ns
Входной логический уровень — высокий -
Ток покоя 7.7mA
Входной логический уровень — низкий -
Особенности Dead-time control;Saturation fault detection;Miller clamp protection

Описание

Полумостовой 30A 14ns 14ns 30A BSSOP-36-300mil изолированные драйверы затворов RoHS