HXY MOSFET SIHA24N80AE-GE3-HXY
Артикул: C52145246
Part Number: SIHA24N80AE-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.813500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.030400 ₽ |
| 10 шт. | 2.576600 ₽ |
| 50 шт. | 2.292600 ₽ |
| 100 шт. | 2.002300 ₽ |
| 500 шт. | 1.870600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.813500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 900V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 24.9A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 97W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 110mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 30.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 511pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 34.7pF |
Описание
900V 24.9A 3V 97W 110mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)