HXY MOSFET IPD80R280P7ATMA1-HXY
Артикул: C52145238
Part Number: IPD80R280P7ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.143900 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.938800 ₽ |
| 10 шт. | 1.642100 ₽ |
| 30 шт. | 1.456900 ₽ |
| 100 шт. | 1.266800 ₽ |
| 500 шт. | 1.181600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.143900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 71W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 230mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 287.9pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 21.84pF |
Описание
800V 14.3A 3V 71W 230mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)