HXY MOSFET STD10N60DM2-HXY
Артикул: C52145214
Part Number: STD10N60DM2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.501400 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.937700 ₽ |
| 10 шт. | 0.758400 ₽ |
| 30 шт. | 0.669600 ₽ |
| 100 шт. | 0.582300 ₽ |
| 500 шт. | 0.528400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.501400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 41W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 460mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 176pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 17pF |
Описание
650V 6.8A 2.8V 41W 460mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)