Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель

Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель

Артикул: C52140575 Part Number: DMT36M1LPS-13(XBLW) Производитель: XBLW
от 0.173700 ₽ В наличии: 225 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.298400 ₽
50 шт. 0.245200 ₽
150 шт. 0.222400 ₽
500 шт. 0.193900 ₽
2500 шт. 0.181300 ₽
5000 шт. 0.173700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 90A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 187W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 2.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 2mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 56.9nC@4.5V
Входная ёмкость (Ciss) 4.345nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 225pF
Выходная ёмкость (Coss) 340pF

Описание

30V 90A 2.5V 187W 2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS