Технология SGT MOSFET: низкое сопротивление, малый заряд затвора, быстрое переключение, высокие лавинные характеристики и долговечность
Артикул: C52140571
Part Number: BSC0805LSATMA1(XBLW)
Производитель: XBLW
от 0.253800 ₽
В наличии: 4555 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.494500 ₽ |
| 10 шт. | 0.392100 ₽ |
| 30 шт. | 0.348100 ₽ |
| 100 шт. | 0.292800 ₽ |
| 500 шт. | 0.268400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.253800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 75A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 97W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 39.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.944nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.04pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 736pF |
Описание
100V 75A 1.6V 97W 6.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS