Траншейный MOSFET, низкий затвор заряд, отличный сопротивление в открытом состоянии, для сильноточный нагрузка применения
Артикул: C52140567
Part Number: FDMC4435BZ(XBLW)
Производитель: XBLW
от 0.174900 ₽
В наличии: 290 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.291600 ₽ |
| 50 шт. | 0.241800 ₽ |
| 150 шт. | 0.220500 ₽ |
| 500 шт. | 0.193800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.182000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.174900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.33nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 156pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 183pF |
Описание
30V 35A 1.6V 15W 12mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS