Траншейный MOSFET, низкий сопротивление в открытом состоянии и затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель
Артикул: C52140566
Part Number: CSD17579Q3A(XBLW)
Производитель: XBLW
от 0.073900 ₽
В наличии: 4850 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.152900 ₽ |
| 50 шт. | 0.119200 ₽ |
| 150 шт. | 0.104800 ₽ |
| 500 шт. | 0.086700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.078700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.073900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 37.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 940pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 109pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 131pF |
Описание
30V 35A 2.5V 37.5W 7.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS