Траншейный MOSFET, отличный проводимость performance, низкий затвор заряд, 4.5V управление затвором, для батарея защита переключатель
Артикул: C52140564
Part Number: AONR21321(XBLW)
Производитель: XBLW
от 0.130400 ₽
В наличии: 225 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.220600 ₽ |
| 50 шт. | 0.182100 ₽ |
| 150 шт. | 0.165600 ₽ |
| 500 шт. | 0.145000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.135900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.130400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 37W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.215nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 237pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 310pF |
Описание
30V 50A 2.5V 37W 9mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS