Траншейный MOSFET, отличный сопротивление в открытом состоянии, низкий затвор заряд, для сильноточный нагрузка применения
Артикул: C52140555
Part Number: AON3419(XBLW)
Производитель: XBLW
от 0.081300 ₽
В наличии: 210 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.164200 ₽ |
| 50 шт. | 0.128800 ₽ |
| 150 шт. | 0.113700 ₽ |
| 500 шт. | 0.094800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.086300 ₽ |
| 5000 шт. | 0.081300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 32A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.57W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.95V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.345nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 158pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 194pF |
Описание
30V 32A 1.95V 3.57W 10mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS