Cmos CMF10B65D
Артикул: C52118370
Part Number: CMF10B65D
Производитель: Cmos
от 0.366200 ₽
В наличии: 133 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.646000 ₽ |
| 10 шт. | 0.530500 ₽ |
| 50 шт. | 0.473600 ₽ |
| 100 шт. | 0.416600 ₽ |
| 500 шт. | 0.384100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.366200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 10uA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.4nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 25pF |
| Время задержки включения Td(on) | 11ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 108ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 200uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 210uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 263ns |
Описание
30W 10A 650V FS (ограничение поля) TO-220F одиночные IGBT-транзисторы