VBsemi Elec VBQG1201K
Артикул: C52110135
Part Number: VBQG1201K
Производитель: VBsemi Elec
от 0.309200 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.564700 ₽ |
| 10 шт. | 0.455700 ₽ |
| 30 шт. | 0.408500 ₽ |
| 100 шт. | 0.349900 ₽ |
| 500 шт. | 0.323900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.309200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 140pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 53pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3.1W 200V 2.8A 2V 1.2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-6(2x2) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)