VBsemi Elec SiA415DJ-T1-GE3-VB
Артикул: C52110103
Part Number: SiA415DJ-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.406800 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.711100 ₽ |
| 10 шт. | 0.585800 ₽ |
| 30 шт. | 0.524000 ₽ |
| 100 шт. | 0.462200 ₽ |
| 500 шт. | 0.424700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.406800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 17W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 370pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 430pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
17W 30V 10A 1V 22mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный DFN-6(2x2) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)