VBsemi Elec SI4804DY-T1-GE3-VB
Артикул: C52110096
Part Number: SI4804DY-T1-GE3-VB
Производитель: VBsemi Elec
от 0.237600 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.434500 ₽ |
| 10 шт. | 0.349900 ₽ |
| 30 шт. | 0.314100 ₽ |
| 100 шт. | 0.268500 ₽ |
| 500 шт. | 0.249000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.237600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 660pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 86pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3.1W 30V 8.5A 1.2V 16mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)