HXY MOSFET STD18N65M5-HXY
Артикул: C52098436
Part Number: STD18N65M5-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.920200 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.626300 ₽ |
| 10 шт. | 1.351800 ₽ |
| 30 шт. | 1.201100 ₽ |
| 100 шт. | 1.031300 ₽ |
| 500 шт. | 0.955200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.920200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 208pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 18pF |
Описание
650V 20A 3.5V 52W 160mΩ@15V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)