HXY MOSFET IPA65R190E6XKSA1-HXY
Артикул: C52098411
Part Number: IPA65R190E6XKSA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.101900 ₽
В наличии: 16 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.158500 ₽ |
| 10 шт. | 2.765000 ₽ |
| 50 шт. | 2.518300 ₽ |
| 100 шт. | 2.265200 ₽ |
| 500 шт. | 2.152500 ₽ |
| 1000 шт. | 2.101900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 850V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 208pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 18pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±26V |
Описание
52W 850V 20A 3.5V 160mΩ@15V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)