HXY MOSFET IPA65R190CFDXKSA2-HXY
Артикул: C52098408
Part Number: IPA65R190CFDXKSA2-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.294700 ₽
В наличии: 40 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.202200 ₽ |
| 10 шт. | 1.864900 ₽ |
| 50 шт. | 1.652900 ₽ |
| 100 шт. | 1.434400 ₽ |
| 500 шт. | 1.336500 ₽ |
| 1000 шт. | 1.294700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 208pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 18pF |
Описание
650V 20A 3.5V 52W 160mΩ@15V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)