HXY MOSFET IPAN60R360PFD7S-HXY
Артикул: C52098358
Part Number: IPAN60R360PFD7S-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.346400 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.646900 ₽ |
| 10 шт. | 0.523600 ₽ |
| 50 шт. | 0.461900 ₽ |
| 100 шт. | 0.401800 ₽ |
| 500 шт. | 0.365400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.346400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 15A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 11.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 180pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 20pF |
Описание
650V 15A 3.5V 52W 180mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)