IGBT - ограничение поля, траншейный
Артикул: C5209102
Part Number: FGHL75T65LQDT
Производитель: onsemi
от 8.022000 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.521800 ₽ |
| 10 шт. | 8.408800 ₽ |
| 30 шт. | 8.097400 ₽ |
| 90 шт. | 8.022000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 499W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 793nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3V@75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 15.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 181pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 68pF |
| Время задержки включения Td(on) | 48ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 568ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.88mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.38mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 87ns |
Описание
499W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы RoHS