IGBT - ограничение поля, траншейный 650 V, 50 A
Артикул: C5209095
Part Number: FGH4L50T65SQD
Производитель: onsemi
от 5.098100 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.280100 ₽ |
| 10 шт. | 5.202100 ₽ |
| 30 шт. | 5.150100 ₽ |
| 100 шт. | 5.098100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 268W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 92nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.6V@50mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.07nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 84pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22.4ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 158.4ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 280uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 200uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
Описание
268W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-4LD одиночные IGBT-транзисторы RoHS