onsemi AFGHL50T65RQDN
Артикул: C5209093
Part Number: AFGHL50T65RQDN
Производитель: onsemi
от 10.613000 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.983300 ₽ |
| 10 шт. | 10.613000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 346W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.533nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 81pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 41ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 76ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.09mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 830uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 57ns |
Описание
346W 50A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3LD одиночные IGBT-транзисторы