Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C5209031 Part Number: NTBG022N120M3S Производитель: onsemi
от 9.553100 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 14.815700 ₽
10 шт. 12.656800 ₽
30 шт. 10.999900 ₽
100 шт. 9.553100 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 58A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 234W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 30mΩ
Заряд затвора (Qg) 148nC
Входная ёмкость (Ciss) 3.2nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 14pF
Выходная ёмкость (Coss) 148pF

Описание

1.2kV поверхностный монтаж D2PAK7(TO-263-7L-HV)