Кремний карбид (SiC) N-канальный MOSFET

Кремний карбид (SiC) N-канальный MOSFET

Артикул: C5209029 Part Number: NTBG014N120M3P Производитель: onsemi
от 22.281600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 23.712200 ₽
10 шт. 22.281600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 104A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 454W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.63V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 20mΩ
Заряд затвора (Qg) 337nC
Входная ёмкость (Ciss) 6.313nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 27pF
Выходная ёмкость (Coss) 259pF

Описание

1.2kV поверхностный монтаж D2PAK7(TO-263-7L-HV)