Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C5209021 Part Number: NTBG060N065SC1 Производитель: onsemi
от 8.035900 ₽ В наличии: 6 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 11.218000 ₽
10 шт. 9.717300 ₽
30 шт. 8.802500 ₽
100 шт. 8.035900 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 650V
Непрерывный ток стока (Id) 46A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 170W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.3V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 70mΩ
Заряд затвора (Qg) 74nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.473nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 13pF
Выходная ёмкость (Coss) 133pF

Описание

650V поверхностный монтаж D2PAK7(TO-263-7L-HV)