Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C5209020 Part Number: NTBG028N170M1 Производитель: onsemi
от 32.700600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 34.498700 ₽
30 шт. 32.700600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.7kV
Непрерывный ток стока (Id) 71A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 428W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.3V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 40mΩ
Заряд затвора (Qg) 222nC
Входная ёмкость (Ciss) 4.16nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 15pF
Выходная ёмкость (Coss) 200pF

Описание

1.7kV поверхностный монтаж D2PAK7(TO-263-7L-HV)