onsemi NXH450N65L4Q2F2S1G
Артикул: C5208967
Part Number: NXH450N65L4Q2F2S1G
Производитель: onsemi
от 130.285200 ₽
В наличии: 12 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 137.654900 ₽ |
| 36 шт. | 130.285200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 633W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 167A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.49V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 452nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 14.63nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 230pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 64pF |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Время задержки включения Td(on) | 150ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 692ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 24.4ns |
Описание
633W 167A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT