onsemi NCD57091BDWR2G
Артикул: C5208442
Part Number: NCD57091BDWR2G
Производитель: onsemi
от 2.263500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.406500 ₽ |
| 10 шт. | 2.345000 ₽ |
| 30 шт. | 2.303500 ₽ |
| 100 шт. | 2.263500 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET、IGBT |
| Конфигурация управления | - |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение питания | 9V~30V;3.3V~20V |
| Устойчивость к синфазным переходным помехам CMTI (кВ/мкс) | 100kV/us |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 5000V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 6.5A |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 6.5A |
| Время нарастания | 13ns |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время спада | 13ns |
| Задержка распространения (tpd) | 60ns;60ns |
| Входной логический уровень — высокий | - |
| Ток покоя | 2mA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Особенности | Miller clamp protection |
Описание
6.5A 13ns 13ns 6.5A SOIC-8-WB изолированные драйверы затворов RoHS