onsemi NCD57081CDR2G
Артикул: C5206724
Part Number: NCD57081CDR2G
Производитель: onsemi
от 5.353400 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.661800 ₽ |
| 10 шт. | 5.530700 ₽ |
| 30 шт. | 5.442800 ₽ |
| 100 шт. | 5.353400 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET、IGBT |
| Конфигурация управления | Low Side;High Side |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение питания | 3.3V~20V;9V~30V |
| Устойчивость к синфазным переходным помехам CMTI (кВ/мкс) | 100kV/us |
| Напряжение изоляции (В, действующее значение) | 3750V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 6.5A |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 6.5A |
| Время нарастания | 13ns |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Время спада | 13ns |
| Задержка распространения (tpd) | 60ns;60ns |
| Ток покоя | 2mA |
| Особенности | Miller clamp protection |
Описание
6.5A 13ns 13ns 6.5A SOIC-8 изолированные драйверы затворов