onsemi NJVMJD253T4G

onsemi NJVMJD253T4G

Артикул: C5205944 Part Number: NJVMJD253T4G Производитель: onsemi
от 0.361900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.986100 ₽
200 шт. 0.382500 ₽
500 шт. 0.368200 ₽
1000 шт. 0.361900 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 12.5W
Ток коллектора (Ic) 4A
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 180
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 300mV;600mV
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 7V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 40MHz

Описание

100V 180 4A 1 PNP DPAK-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS