onsemi NVJD5121NT2G
Артикул: C5205663
Part Number: NVJD5121NT2G
Производитель: onsemi
от 0.184700 ₽
В наличии: 93 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.196100 ₽ |
| 10 шт. | 0.191200 ₽ |
| 30 шт. | 0.188000 ₽ |
| 100 шт. | 0.184700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 295mA |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.5Ω@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | 900pC@25V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 26pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 4.4pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 295mA 2.5Ω@4.5V 250mW 1V 1 N-канальный + 1 P-канальный SC-88-6 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET)