ST STP10N60M2
Артикул: C5199080
Part Number: STP10N60M2
Производитель: ST
от 0.717300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.309600 ₽ |
| 10 шт. | 1.093600 ₽ |
| 30 шт. | 0.974900 ₽ |
| 100 шт. | 0.803700 ₽ |
| 500 шт. | 0.743500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.717300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 85W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 550mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 13.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 400pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.84pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 22pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
85W 650V 7.5A 3V 550mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS