1200 V, 75 A, высокоскоростной H серия IGBT
Артикул: C5199075
Part Number: STGYA75H120DF2
Производитель: ST
от 5.909900 ₽
В наличии: 98 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.973100 ₽ |
| 10 шт. | 7.351300 ₽ |
| 30 шт. | 6.567500 ₽ |
| 90 шт. | 5.909900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 750W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.6V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 313nC@960V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@2mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 420pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 146pF |
| Время задержки включения Td(on) | 61ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 366ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 356ns |
Описание
750W 75A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS