Двойной P-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5197326
Part Number: SI9948AEY
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.180600 ₽
В наличии: 845 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.380800 ₽ |
| 50 шт. | 0.299500 ₽ |
| 150 шт. | 0.264700 ₽ |
| 500 шт. | 0.211600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.192200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.180600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.3W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 90mΩ@10V;100mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 976pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 70pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2.3W 60V 3.8A 1.7V 2 P-канальный P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)