Двойной P-канальный обогащение режим MOSFET

Двойной P-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C5197323 Part Number: SI4948BEY Производитель: TECH PUBLIC
от 0.203700 ₽ В наличии: 2974 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.427000 ₽
10 шт. 0.336700 ₽
30 шт. 0.297300 ₽
100 шт. 0.248000 ₽
500 шт. 0.216800 ₽
1000 шт. 0.203700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 2 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 60V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 3.8A
Рассеиваемая мощность (Pd) 2.3W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.7V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 90mΩ@10V;100mΩ@4.5V
Заряд затвора (Qg) 24nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 976pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 30pF
Выходная ёмкость (Coss) 70pF
Напряжение затвор–исток (Vgs) ±20V

Описание

2.3W 60V 3.8A 1.7V 2 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)