XYD X4N65DHE2
Артикул: C51952971
Part Number: X4N65DHE2
Производитель: XYD
от 0.070600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.186200 ₽ |
| 200 шт. | 0.074300 ₽ |
| 500 шт. | 0.071800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.070600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 74W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 587pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 48pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 4A 2.9V 74W 2.4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)