XYD X5N65DHE2
Артикул: C51952958
Part Number: X5N65DHE2
Производитель: XYD
от 0.085400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.225200 ₽ |
| 200 шт. | 0.089900 ₽ |
| 500 шт. | 0.086900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.085400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.3Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 626pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 58pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 5A 3.1V 70W 2.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)