XYD X1P5N10GHF6
Артикул: C51952921
Part Number: X1P5N10GHF6
Производитель: XYD
от 1.190000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.135700 ₽ |
| 200 шт. | 1.251800 ₽ |
| 500 шт. | 1.210100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.190000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 420A |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 520W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 139nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.274nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 315pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.302nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 420A 3V 520W 1.2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-6L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)