XYD X8N10GHV8
Артикул: C51952919
Part Number: X8N10GHV8
Производитель: XYD
от 0.227200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.596600 ₽ |
| 200 шт. | 0.238000 ₽ |
| 500 шт. | 0.230300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.227200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 85A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 105W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.042nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 75pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.002nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 85A 3V 105W 6.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PDFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)