XYD X3N10GHB3B
Артикул: C51952916
Part Number: X3N10GHB3B
Производитель: XYD
от 0.744900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.962700 ₽ |
| 200 шт. | 0.783600 ₽ |
| 500 шт. | 0.757300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.744900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 239A |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 320W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 86nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.126nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 77pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.293nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 239A 3V 320W 2.6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)