XYD X2N10GHT1B
Артикул: C51952913
Part Number: X2N10GHT1B
Производитель: XYD
от 0.618200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.630500 ₽ |
| 200 шт. | 0.650700 ₽ |
| 500 шт. | 0.629000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.618200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 348A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 462W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 157nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.873nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 157pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.545nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 348A 2.9V 462W 1.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TOLL-1L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)