HXY MOSFET IPT022N10NF2SATMA1-HXY
Артикул: C51949361
Part Number: IPT022N10NF2SATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.072300 ₽
В наличии: 488 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.860200 ₽ |
| 10 шт. | 1.566200 ₽ |
| 30 шт. | 1.382600 ₽ |
| 100 шт. | 1.194100 ₽ |
| 500 шт. | 1.109700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.072300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 300A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 379W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 150nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.03nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.505nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
379W 100V 300A 3V 2mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TOLL-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)